Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 (2009) | ISSUE 9 | PAGE 560
Моделирование процесса образования вакансий при сканировании поверхности Cu(100)
PACS: 61.46.-w, 68.47.De
Abstract
Методом молекулярной динамики исследованы основные механизмы образования вакансий в первом слое поверхности Cu(100). Показано, что в результате взаимодействия иглы сканирующего туннельного микроскопа с поверхностью интенсивность образования поверхностных вакансий может увеличиться в 103-105 раз. Основываясь на проведенных исследованиях, мы предлагаем эффективный метод настройки концентрации вакансий в первом слое поверхности Cu(100), не связанный с изменением температуры системы.