Зависимость кинетики рекомбинации пространственно разделенных электрон- дырочных слоев от параллельного магнитного поля
А. В. Россохатый, И. В. Кукушкин
Московский физико-технический институт (государственный университет), 117303 Москва, Россия
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 67.57.Lm, 76.60.-k
Abstract
Исследована зависимость времени излучательной рекомбинации
пространственно разделенных электрон- дырочных слоев от магнитного
поля, параллельного плоскости широкой квантовой ямы. Обнаружено,
что интенсивность люминесценции уменьшается с увеличением
параллельного магнитного поля. Установлено, что эта зависимость
не согласуется с теоретическими предсказаниями, связывающими падение
интенсивности с уменьшением заселенности энергетических уровней,
разрешенных для излучательной рекомбинации. Показано, что
падение интенсивности связано с экспоненциальным ростом времени
излучательной рекомбинации от магнитного поля (вследствие уменьшения
перекрытия волновых функций электрона и дырки) и проявлением процессов
безызлучательной рекомбинации.