Зависящая от электрического поля энергетическая структура квазиодномерного проводника p-TaS3
В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев-Зотов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
PACS: 71.45.Lr, 71.55.-i, 72.40.+w
Abstract
С помощью исследования спектральной зависимости фотопроводимости
изучена энергетическая структура пайерлсовской щели в ромбическом TaS3.
Наблюдаются край пайерлсовской щели, а также энергетические состояния внутри
щели. Амплитуда пиков фотопроводимости, соответствующих состояниям внутри щели,
зависит как от температуры, так и от электрического поля. Уже в поле порядка 1-
10 В/см происходит перераспределение интенсивности между различными пиками.
Малая величина электрического поля, приводящего к изменениям в спектре,
свидетельствует о коллективном механизме возникновения энергетических
состояний.