Home
| VOLUME 89 (2009) | ISSUE 11 | PAGE 660 |
|---|
|
Электронное строение композитных сегментированных нанотрубок SiC/BN
А. С. Романов, А. А. Лисенко, П. М. Силенко, П. Н. Дьячков
Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, 03142 Киев, Украина Институт общей и неорганической химии им. Г.С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия PACS: 71.20.-b
Abstract
С помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн рассчитана электронная структура сегментированных нанотрубок, составленных из чередующихся слоев нанотрубок BN и SiC (5,5) и (9,0) конфигурации кресло и зигзаг и различающихся ориентацией химических связей в сегментах, а также природой связей (Si-N и B-C или Si-B и N-C) на границах участков BN и SiC. Расчеты проведены с использованием функционала локальной плотности и маффинтин приближения для электронного потенциала. Установлено, что в зависимости от связей на границах сегментов нанотрубки BN/SiC (5,5) являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны Eg от 1 до 3 эВ, а нанотрубки BN/SiC (9,0) обладают металлическим, полуметаллическим или полупроводниковым (  эВ) типом зонной структуры.
|