Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 (2009) | ISSUE 11 | PAGE 676
Микроволновое фотосопротивление двумерного электронного газа в баллистическом микромостике
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двумерных (2D) баллистических микромостиках на основе одиночных GaAs квантовых ям при температуре T=4.2 К в магнитных полях B<0.6 Тл. Обнаружено различие в магнетополевых зависимостях микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в холловских мостиках длиной L и шириной W в условиях, когда L, W>lp и L, W<lp, где lp - длина свободного пробега электрона по импульсу. В макроскопических мостиках (L, W > lp) микроволновое фотосопротивление является знакопеременной периодической функцией обратного магнитного поля, а в микромостиках (L, W<lp) - положительной периодической функцией 1/B. Полученные экспериментальные результаты указывают на различие механизмов возникновения микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в макроскопических и микроскопических мостиках.