Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 (2009) | ISSUE 11 | PAGE 681
Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения
PACS: 71.36.+c, 78.47.+p, 78.45.+h
Abstract
В микрорезонаторе на основе GaAs с встроенными квантовыми ямами изучена временная динамика процесса излучения при высоких уровнях нерезонансного возбуждения пикосекундными лазерными импульсами. При уровнях накачки, превышающих порог лазерной генерации, измерены кинетические зависимости интенсивности, спектрального положения и ширины линии излучения. Установлено, что после импульса возбуждения линия излучения сдвигается в сторону больших энергий в течение некоторого времени, сравнимого с временем достижения максимума интенсивности излучения, а затем движется в обратную сторону к ее положению при низкой поляритонной плотности. Ширина линии излучения максимальна непосредственно после импульса возбуждения и достигает минимума, когда интенсивность стимулированного излучения достигает максимальной величины. Показано, что в начальные моменты времени после импульса возбуждения система находится в режиме слабой экситон- фотонной связи и переходит с течением времени в режим сильной связи.