Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 90 (2009) | ISSUE 2 | PAGE 111
Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости A3B5-полупроводников в сильном магнитном поле
Abstract
Изучены поправки от кубического по волновому вектору K3-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A3B5-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет K4-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A3B5-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии.