Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости A3B5-полупроводников в сильном магнитном поле
П. С. Алексеев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PACS: 71.18.+y, 71.70.Di, 76.40.+b
Abstract
Изучены поправки от кубического по волновому вектору
K3-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого
уровней Ландау электронов в A3B5-полупроводниках. Найденные
поправки вместе с ранее известными поправками за счет K4-членов в
гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание
анизотропии вершины зоны проводимости A3B5-полупроводников в
ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных
данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs
подтверждает реальность изученного механизма анизотропии.