Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 90 (2009) | ISSUE 2 | PAGE 134
Сверхпроводящее зондирование электронных корреляций и обменного поля на основе эффекта близости в наноструктурах F/S
PACS: 74.50.+r, 74.62.-c
Abstract
Исследованы эффект близости и конкуренция между состояниями БКШ и ЛОФФ в куперовском пределе для тонких наноструктур F/S и F/S/F, где F - ферромагнетик, а S - сверхпроводник. Для бислоев F/S и трислоев F/S/F выведены зависимости критической температуры от обменного поля I, электронных корреляций λ f и толщины df слоя F. Кроме того, в трислоях F/S/F предсказаны два новых π -фазных сверхпроводящих состояния с электрон-электронным отталкиванием в F слоях. Двумерное (2D) состояние ЛОФФ в трислоях F/S/F возможно только при наличии слабого магнитного поля и подходящих параметрах слоев F и S. Дано объяснение отсутствия подавления 3D сверхпроводимости в короткопериодных сверхрешетках Gd/La и предсказана константа межэлектронного взаимодействия в гадолинии. Предложен метод зондирующей сверхпроводящей спектроскопии на основе эффекта близости для определения симметрии параметра порядка, величины и знака электронных корреляций, обменного поля в различных наномагнетиках F.