Процессы релаксации регулярных микродоменных структур, записанных в сегнетоэлектрических кристаллах ниобата бария-стронция в поле атомного силового микроскопа
Р. В. Гайнутдинов, Т. Р. Волк, О. А. Лысова, А. Л. Толстихина, Л. И. Ивлева+
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333 Москва, Россия
+Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
PACS: 68.37.Ps, 77.80.Dj, 77.80.Fm, 77.84.Dy
Abstract
Приведены результаты исследования кинетики релаксации регулярных
1D и 2D микродоменных структур, созданных в релаксорном сегнетоэлектрике
ниобате бария-стронция (НБС) путем приложения постоянных напряжений к зонду
атомно-силового микроскопа. Обнаружена зависимость времени релаксации
доменных структур от их топологии. При идентичных условиях записи времена
распада 2D структур (доменных квадратов) на порядки превышают времена распада
1D структур (доменных линий или цепочек), в свою очередь на порядки более
устойчивых, чем одиночные (пространственно разнесенные) домены.
Проанализирована зависимость устойчивости записанных доменных ансамблей от
дискретности (расстояния между записанными точечными доменами). Эффекты
обсуждаются с позиций специфики процессов поляризации в релаксорном
сегнетоэлектрике.