Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 90 (2009) | ISSUE 10 | PAGE 730
Ферромагнитное воздействие δ-<Mn>-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме
PACS: 75.30.Hx, 78.20.Ls, 78.55.Cr
Abstract
Поляризационные свойства излучения нелегированной InGaAs квантовой ямы (КЯ) в InGaAs/GaAs гетероструктурах с δ-<Mn>-слоем в GaAs барьере исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Найдено, что s,p-d обменное взаимодействие носителей в КЯ с ионами Mn в δ-слое ведет к ферромагнитному поведению как их зеемановского расщепления, так и спиновой поляризации (с температурой Кюри, характерной для δ-<Mn>-слоя в GaAs барьере). В области низких температур (T < 20 К) обнаружено насыщение поляризации спинов дырок, которое связано с их фермиевским вырождением.