Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 91 | ISSUE 1 | PAGE 37
Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb1-xSnxTe(In) в терагерцовой спектральной области
Abstract
Исследована спектральная зависимость сигнала фотопроводимости в легированном узкощелевом полупроводнике Pb0.75Sn0.25Te(In) при температурах 4.2-30 К при воздействии импульсов терагерцового лазерного излучения. Показано, что спектр фотопроводимости полупроводника простирается, по крайней мере, до длины волны 500 мкм. Эта величина более чем в два раза превышает длину волны красной границы фотоэффекта для наиболее длинноволновых из известных высокочувствительных фотонных приемников излучения на основе одноосно легированного Ge(Ga) - 220 мкм. Обсуждаются механизмы, ответственные за фоточувствительность PbSnTe(In) в терагерцовой спектральной области.