Слабая антилокализация в квантовых ямах на основе HgTe вблизи топологического перехода
Е. Б. Ольшанецкий/°, З. Д. Квон°+, Г. М. Гусев*, Н. Н. Михайлов°, С. А. Дворецкий°, Дж. С. Портал/
°Институт физики полупроводников, 630090 Новосибирск, Россия +Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия *Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo 05315-970, SP, Brazil GHMFL, CNRS, BP 166, F-38042, Grenoble, France INSA, 135 Avenue de Rangueil, F-31077, Toulouse,France Institut Universitaire de France, F-75005, Paris, France
Abstract
Обнаружено и исследовано аномальное знакопеременное
магнитосопротивление (АМС) в HgTe квантовых ямах, имеющих толщину 5.8
и 8.3 нм, то есть вблизи перехода от прямого зонного спектра к
инвертированному. Показано, что в ямах с инвертированным спектром
обнаруженное АМС хорошо описывается теорией [9, 10], причем
детальное сравнение эксперимента с ней указывает на наличие только
кубического члена в спиновом расщеплении электронного спектра. В
яме с прямой щелью условия применимости теории [9, 10] не
выполняются и, как следствие этого, не удается сделать столь же
однозначный вывод. Полученные результаты указывают на
существование сильного спин-орбитального взаимодействия в
симметричных HgTe квантовых ямах вблизи топологического перехода.
|