Спиновая релаксация двумерных электронов в холловском ферромагнетике
Ю. А. Нефедов, А. А. Фортунатов, А. В. Щепетильников, И. В. Кукушкин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
Abstract
В системе двумерных электронов с высокой электронной
подвижностью исследован электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и
изучены зависимости положения, ширины, интенсивности и формы линии
резонансного микроволнового поглощения от фактора заполнения и
температуры. Показано, что ширина линии ЭПР в квантовых ямах
GaAs/AlGaAs с большой электронной подвижностью может составлять 30 МГц, что
соответствует времени спиновой релаксации двумерных электронов 10 нс.
Экспериментальные данные по температурной зависимости ширины линии спинового
резонанса при факторе заполнения 1 сравниваются с теоретическими
результатами, полученными для различных механизмов спиновой релаксации.
Показано, что доминирующим механизмом спиновой релаксации при факторе
заполнения 1 и температурах 1.5-4 К является взаимное рассеяние спиновых
экситонов.