Home
| VOLUME 91 (2010) | ISSUE 8 | PAGE 419 |
|---|
|
Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах AV2 BVI3
С. В. Еремеев+*, Ю. М. Коротеев+, Е. В. Чулков
 +Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН, 634021 Томск, Россия *Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия Donostia International Physics Center (DIPC), and CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, Apdo. 1072, 20080 San Sebastián, Spain
Abstract
Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений AV2 BVI3, содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi2Te3, Bi2Se3 и Sb2Te3 и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа «оборванной связи» на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности. |