Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 91 (2010) | ISSUE 8 | PAGE 436
Моделирование одноэлектронных транспортных процессов в тонких гранулированных хромовых пленках
Abstract
Представлены результаты численного моделирования одноэлектронного транспорта в двумерных гранулированных хромовых пленках при низких температурах. Построена теоретическая модель, в которой гранулированная пленка представлена в виде двумерной матрицы проводящих металлических гранул (островов), слабо связанных между собой малопрозрачными туннельными барьерами, обеспечивающими транспорт одиночных электронов, локализованных на островах. Учет неоднородностей в нанометровых размерах островов и их эффективной электронной температуры, зависящей от силы протекающего тока, позволил объяснить вид недавно измеренных вольт-амперных характеристик хромовых образцов, имеющих форму прямоугольных полосок субмикронных размеров. В моделируемой системе обнаружен переход от двумерного к квазиодномерному режиму одноэлектронного транспорта, ведущего к гистерезису, наблюдаемому в эксперименте.