Home
| VOLUME 91 (2010) | ISSUE 9 | PAGE 498 |
|---|
|
Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек
И. А. Александров К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, П. Хольтц*
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, Новосибирск, 630090 Россия *Linkoping University, S-581 83 Linkoping, Sweden
Abstract
Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 1011 см-2, таким образом, около 103 квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15 для образца с наименьшим количеством осажденного GaN. Интенсивность фотолюминесценции этого образца уменьшается на более чем два порядка величины в течение около 30 мин при непрерывном лазерном возбуждении, после чего стабилизируется. Интенсивность фотолюминесценции остальных образцов остается постоянной при непрерывном возбуждении. Мы полагаем, что достаточно высокая степень поляризации вызвана анизотропией напряжений и формы квантовых точек, образованных вблизи дислокаций, которые также действуют как центры безызлучательной рекомбинации. |