Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 91 (2010) | ISSUE 9 | PAGE 524
Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd0.7Mn0.3GeAs2
Abstract
Измерены зависимости магнитной восприимчивости χ/χo, продольного (Δρzz/ρo) и поперечного (Δρxx/ρo) магнетосопротивления от гидростатического давления P\leq7 ГПа при комнатной температуре в высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике Cd0.7Mn0.3GeAs2 со структурой халькопирита и температурой Кюри Tc=355 K. Обнаружено, что в Cd0.7Mn0.3GeAs2 вблизи температуры магнитного упорядочения индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью, сопровождающийся гистерезисом магнитной восприимчивости и магнетосопротивления.