Электрические свойства двухслойных гетероструктур в сильном магнитном поле
Н. Д. Гук, С. В. Иорданский
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
Abstract
Рассмотрены электрические свойства двухслойных гетероструктур в
сильном магнитном поле при низких температурах. Показано, что при
параллельных электрических полях в каждом слое и омическая, и холловская
проводимости стремятся к нулю экспоненциально, что связано с образованием
нейтральных пар. При антипараллельном включении холловская проводимость
по-прежнему определяется энергией активации заряженных возбуждением
электронов с экспоненциальным падением, однако омическая проводимость падает
гораздо медленнее, пропорционально квадрату температуры.