Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI2) - новый класс трехмерных топологических изоляторов
С. В. Еремеев+*, Ю. М. Коротеев+, Е. В. Чулков
+Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН, 634021 Томск, Россия *Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия Donostia International Physics Center (DIPC), and CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Spain
Abstract
Представлены результаты теоретического исследования
объемной и поверхностной электронной структуры соединений
Tl-V-VI2, где V - полуметаллы Bi и Sb, VI - халькогены Se и Te.
Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются
трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных
соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное
состояние, формирующее в окрестности точки дираковский
конус, так и занятые состояния типа «оборванной связи»,
локализованные в запрещенной щели.
|