Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия
И. А. Белогорохов, М. А. Дронов+, Е. В. Тихонов+, В. Е. Пушкарев*, Л. Г. Томилова*, Д. Р. Хохлов+
ОАО «Гиредмет", 119017 Москва, Россия
+МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, 119991 Москва, Россия
*МГУ им. М.В. Ломоносова, химический факультет, 119991 Москва, Россия
Abstract
В ходе проведенных исследований получены частотные
зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости
органических полупроводников на основе бутилзамещенного монофталоцианина
эрбия. Аппроксимация полученных зависимостей в рамках дипольного приближения
позволила получить для указанного типа полупроводников величины статической
диэлектрической проницаемости и показателя затухания, характеризующего
релаксационные процессы в ансамбле фталоцианиновых комплексов.