Перестройка населенности сверхтонких уровней резонансными импульсными электромагнитными полями
С. Б. Сазонов
Российский научный центр ``Курчатовский институт'', 123182 Москва, Россия
Abstract
Предлагается метод быстрой и глубокой перестройки населенности системы не
одинаково заселенных сверхтонких уровней атома, в том числе подуровней основного
состояния, путем воздействия на атом резонансных импульсных электромагнитных
когерентных друг другу полей. Предлагаемый метод может быть применен, например, как в
связи с созданием новых схем для усиления или эффективного поглощения проходящего через
среду излучения, так и в связи с развитием новых направлений квантовой электроники-
спинтроники, использующей ток поляризованных электронов, или для построения новых схем
квантовых компьютеров.