Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 91 (2010) | ISSUE 12 | PAGE 739
Электронная структура границы раздела Ва/n-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа
Abstract
Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Ba/n-AlGaN(0001) в сверхвысоком вакууме in situ/ с помощью метода ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны n-AlGaN и спектры остовных уровней Ga 3d, Al 2p, Ba 4d при синхротронном возбуждении с энергиями фотонов 60 \div 400 эВ. Обнаружена модификация всех спектров в процессе формирования границы раздела Ва/n-AlGaN в режиме субмонослойных Ва покрытий. Найдено, что спад интенсивности отдельных участков спектра валентной зоны связан с взаимодействием поверхностных состояний подложки AlGaN с адатомами Ва. Обнаружено, что формирование интерфейса приводит к появлению в запрещенной зоне AlGaN на уровне Ферми нового фотоэмиссионного пика квазиметаллического характера. Установлено, что природа пика связана с формированием вырожденного электронного газа в аккумуляционном нанослое, индуцированном адсорбцией в непосредственной близости к поверхности n-AlGaN.