JETP Letters: issues online

Обнаружено, что адсорбция Cs на поверхности GaN(0001) n-типа вызывает необычное изменение электронных свойств поверхности и приповерхностного слоя пространственного заряда, что приводит к появлению фотоэлектронной эмиссии при возбуждении в области прозрачности GaN. Установлено, что фотоэмиссия обусловлена формированием в приповерхностной области изгиба зон квазиметаллических состояний, индуцированных адсорбцией Cs. Изучено поведение фотоэмиссионного порога при возбуждении s-поляризованным светом в зависимости от цезиевых покрытий. Найдено, что минимальное значение порога соответствует $\sim1.4$ эВ при концентрации атомов Cs в субмонослойном покрытии $\sim4.5\cdot10^{14}$ атом/cм². При этом обнаружен новый эффект - появление осцилляций в спектральных зависимостях пороговой фотоэмиссии. Предложена модель осцилляций фототока, которая принимает во внимание образование квазиметаллических состояний в приповерхностном слое изгиба зон GaN и наличие интерференции в плоскопараллельной пластине образца GaN при облучении светом в области прозрачности.