Home
| VOLUME 92 (2010) | ISSUE 3 | PAGE 183 |
|---|
|
О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi4Te7
С. В. Еремеев+*, Ю. М. Коротеев+, Е. В. Чулков
 +Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН, 634021 Томск, Россия *Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия Donostia International Physics Center (DIPC), and CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU,Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Spain
Abstract
Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры PbBi4Te7. Соединение PbBi4Te7 имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi2Te3) и семислойные (PbBi2Te4) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi2Te4. На поверхности PbBi4Te7(0001) в окрестности точки 
формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя,
формирующего поверхность (Bi2Te3 или PbBi2Te4).
Показано, что локализация данного состояния может иметь не только
поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер.
|