|
VOLUME 92 (2010) | ISSUE 3 |
PAGE 208
|
Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов
В. М. Ковалев+*, А. В. Чаплик
+Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский Государственный Технический Университет, 630095 Новосибирск, Россия Новосибирский Государственный Университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Теоретически исследуется экранирование
локального электростатического возмущения непрямыми экситонами.
Показано, что линейное экранирование носит диэлектрический
характер, причем эффективная проницаемость может быть большой в
случае сильного вырождения бозе-газа экситонов. Появление
конденсата существенно меняет поведение потенциала возмущения на
бесконечности, приводя к степенным асимптотикам с большими
показателями степени. В нелинейном режиме экранированный потенциал
насыщается при неограниченном возрастании начального возмущения.
|
|