Формирование наноэлектростатических квантовых точек и двумерных подзон флуктуационным потенциалом доноров Mn в p-i-n резонансно-туннельных гетеросистемах
В. А. Ковальский, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН
142432 Черноголовка, Московская область, Россия
Abstract
Изучено влияние флуктуационного потенциала примесей Mn в
p-i-n резонансно-туннельных структурах на электронный транспорт.
Продемонстрирована возможность формирования минимумами такого
потенциала как нульмерных состояний наноэлектростатических квантовых
точек, так и двумерных подзон в области GaAs квантовой ямы.