JETP Letters: issues online

Исследовано микроволновое фотосопротивление в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования E₁ и E₂ при температурах T = 1.6 - 4.2 K в магнитных полях B < 0.5 Тл. Установлено, что микроволновое фотосопротивление в такой системе имеет максимальную амплитуду в условиях, когда максимум магнето-межподзонных осцилляций с номером $k=(E_2-E_1)/\hbar \omega_c$ совпадает с максимумом или минимумом ω/ω_c-осцилляций, где ω - круговая частота микроволнового излучения, ω_c - циклотронная частота. Показано, что резонансное фотосопротивление, возникающее в максимумах магнето-межподзонных осцилляций с номером k, определяется условием: $\hbar \omega/(E_2-E_1)=(j \pm 0.2)/k$ , где k и j - целые положительные числа.