Усиление многофононного резонансного комбинационного рассеяния света (МРКРС) в квазидвумерной электронной системе
Коровин Л.И., Павлов С.Т., Эшпулатов Б.Э.
Предсказывается многократное усиление (в а-1 раз, а безразмерная константа элек-трон-фононного взаимодействия, а< 1) МРКРС в квазидвумерных электронных системах (квантовых ямах, инверсионных слоях) по сравнению с объемным полупроводником. Порог усиления смещен от четырехфононного рассеяния (в объеме) к трехфононному в двумерном случае.