|
VOLUME 92 (2010) | ISSUE 7 |
PAGE 523
|
Нулевое дифференциальное сопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения
А. А. Быков, Е. Г. Мозулев*, С. А. Виткалов+
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия +Physics Department, City College of the City University of New York, 10031 New York, USA
Abstract
Исследовано дифференциальное сопротивление rxx в
двойной GaAs квантовой яме с двумя
заполненными подзонами размерного квантования при температурах
T=1.6-4.2 K в магнитных
полях B< 0.5 Тл. Обнаружено, что при увеличении постоянного
электрического тока Idc
дифференциальное сопротивление rxx в максимумах магнето-межподзонных
осцилляций
сопротивления падает до нуля. Показано, что обнаруженное состояние с
возникает в условиях, когда , где
Rc - циклотронный
радиус электронов на уровне Ферми, EH - электрическое поле
Холла, индуцированное
током Idc, а ωc - циклотронная частота.
|
|