К вопросу о времени развития параметрической неустойчивости при поляритон-поляритонном рассеянии в планарном полупроводниковом микрорезонаторе
А. А. Дородный+*, С. С. Гаврилов*, В. Д. Кулаковский*, Н. А. Гиппиус#, С. Г. Тиходеев#
+Московский физико-технический институт, 141701 Долгопрудный Московская обл., Россия
*Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
#Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Показано, что для развития пороговой неустойчивости поляритон-
поляритонного рассеяния в планарном полупроводниковом микрорезонаторе
при когерентном импульсном
возбуждении выше нижней поляритонной ветви необходима
минимальная длительность накачки порядка нескольких десятков пикосекунд:
заселенность поляритонных мод в областях
параметрической неустойчивости должна нарасти
от уровня шума до определенного значения, сравнимого с заселенностью
возбуждаемой моды.