Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 9 | PAGE 672
Интерфейсные D- комплексы в двумерной электронной системе
Abstract
Методом неупругого рассеяния света исследован спектр возбуждений двумерной электронной системы в высококачественных AlGaAs/GaAs квантовых ямах. Идентифицированы новые линии неупругого рассеяния света возбуждений интерфейсных D- комплексов - объектов, в которых два электрона, локализованных в квантовой яме, связываются с заряженной примесью, расположенной на интерфейсе квантовой ямы. Обнаружено, что основное состояние интерфейсных D- комплексов изменяется в магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы, со спин-синглетного на спин-триплетное аналогично тому, как изменяется основное состояние системы двух электронов, локализованных в гармоническом потенциале.