|
VOLUME 92 (2010) | ISSUE 10 |
PAGE 757
|
Твердофазные реакции в Ga/Mn тонких пленках: формирование φ-Ga7.7Mn2.3 фазы и ее магнитные свойства
В. Г. Мягков*+, В. С. Жигалов+*, Л. Е. Быкова+ Л. А. Соловьев∇*, Г. С. Патрин, Д. А. Великанов
+Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отд. РАН, 660036 Красноярск, Россия *Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия ∇Институт химии и химической технологии Сибирского отд. РАН, 660049 Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
Abstract
Представлены экспериментальные результаты исследования твердофазного
синтеза
φ-Ga7.7Mn2.3 фазы в Ga/Mn пленках. Ферромагнитное (или
ферримагнитное) состояние образцов
наблюдается при температуре отжига выше 250 °C. Рентгеноструктурные
измерения показывают
формирование φ-Ga7.7Mn2.3 фазы, которая растет
поликристаллической на стеклянных подложках
и "куб на куб" преимущественной ориентацией на MgO(001). Установлена сильная
зависимость констант
перпендикулярной и эффективной плоскостной двухосной K1 eff
анизотропий от магнитного поля H.
Вследствие этого с увеличением величины магнитного поля выше 8 кЭ легкая ось
намагничивания меняет
направление из плоскости к нормали пленки. Аномальное поведение констант
и K1 eff объясняется
созданием плоскостных напряжений во время формирования
φ-Ga7.7Mn2.3 фазы и прямой зависимостью
постоянных магнитострикции от величины магнитного поля. Определена
намагниченность насыщения
MS и дана оценка первой константы K1 магнитокристаллической анизотропии
φ-Ga7.7Mn2.3 фазы.
|
|