Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 | ISSUE 11 | PAGE 847
Изучение гетероструктуры SiO2(Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения
Abstract
Гигантский инжекционный магниторезистивный эффект наблюдается в гранулированной Co/SiO2 пленке на полупроводниковой GaAs подложке в узком интервале температур вблизи T=300 K. Согласно существующей теории природа эффекта связана со структурой и физическими свойствами интерфейсного слоя. Методами рефлектометрии и малоуглового рассеяния синхротронного излучения в скользящей геометрии изучено пространственное распределение наночастиц кобальта в объеме гранулированной пленки Co/SiO2 и на границе раздела гранулированная пленка/полупроводниковая подложка (ГП/ПП). Показано, что в объеме пленки характерное среднее расстояние между гранулами кобальта составляет 7.3 нм. В то же время, среднее расстояние между гранулами на интерфейсе ГП/ПП составляет 32 нм при их вертикальном размере порядка 7.5 нм. Экспериментальные результаты свидетельствуют о пониженной концентрации кобальта на интерфейсе и о точечном характере контакта основного объема пленки Co/SiO2 с подложкой GaAs через относительно разреженный слой ферромагнитных гранул кобальта.