Поглощение терагерцового излучения в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками
Е. С. Жукова, Б. П. Горшунов, В. А. Юрьев1), Л. В. Арапкина, К. В. Чиж, В. А. Чапнин, В. П. Калинушкин, А. С. Прохоров, Г. Н. Михайлова
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
В интервале частот 0.3-1.2 ТГц при комнатной температуре
выполнены первые измерения терагерцовых спектров динамической проводимости и
коэффициента поглощения излучения в германий-кремниевых гетероструктурах с
массивами hut-кластеров Ge (квантовыми точками). Обнаружено, что значения
эффективной динамической проводимости и эффективного коэффициента поглощения
излучения в гетероструктуре за счет наличия в ней германиевых квантовых точек
значительно превосходят соответствующие величины как объемного
монокристаллического Ge, так и гетероструктур Ge/Si(001), не содержащих
массивов квантовых точек. Обсуждаются возможные микроскопические механизмы
обнаруженного возрастания поглощения в массивах квантовых точек.