Поперечное напряжение в отсутствие магнитного поля в квазиодномерном проводнике с волной зарядовой плотности NbSe3
А. А. Синченко, П. Монсо+, Т. Кроз+
Национальный исследовательский ядерный университет (МИФИ), 115409 Москва, Россия
+Institut NEEL, CNRS and Université Joseph Fourier, BP 166, 38042 Grenoble, France
Abstract
Обнаружено появление перпендикулярной транспортному току
компоненты электрического поля в области фазовых переходов в
пайерлсовское состояние в монокристаллах NbSe3. Показано, что
возникающее поперечное напряжение . Эффект
объясняется перераспределением тока, вызванным пространственной
неоднородностью критической температуры пайерлсовского перехода.