Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 93 (2011) | ISSUE 5 | PAGE 299
Управление спиновой динамикой электронов в широкой GaAs квантовой яме с помощью латерально локализующего потенциала
Abstract
Исследована спиновая динамика электронов, локализованных в плоскости широкой GaAs квантовой ямы с помощью специального мозаичного электрода, нанесенного на поверхность образца. Одновременно проводились сравнительные измерения на полупрозрачном электроде, чтобы различать изменения в спиновой динамике электронов не только за счет изгиба зон, но и вследствие локализации в плоскости, управляемой с помощью внешнего приложенного смещения. Обнаружен сильный рост времени жизни спина электронов в ловушках при увеличении приложенного смещения. Полученные значения g-фактора электрона в плоскости квантовой ямы и зависимость времени жизни электронного спина от магнитного поля свидетельствуют о возникновении сильного трехмерного конфайнмента в центре отверстия мозаичного электрода. Изученная анизотропия спиновой релаксации электронов обусловлена анизотропией локализующего потенциала.