Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 93 (2011) | ISSUE 7 | PAGE 437
Оптическое детектирование электрического поля в n-i-n GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
Abstract
Оптическими методами исследовались процессы, возникающие при приложении постоянного поперечного электрического поля к n-i-n- гетероструктуре GaAs/AlGaAs с одиночными квантовыми ямами и асимметричными двойными туннельно-связанными квантовыми ямами. Различие в энергиях экситонных переходов для квантовых ям разной ширины позволило соотнести наблюдавшиеся пики фотолюминесценции с каждой конкретной парой ям или одиночной квантовой ямой. По величине штарковского сдвига и расщепления экситонных линий в широком диапазоне внешнего электрического напряжения было определено локальное для каждой квантовой ямы значение электрического поля. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение немонотонного распределения электрического поля по глубине гетероструктуры.