Излучательная близнецовая рекомбинация в структурах с квантовыми ямами GaAs AlGaAs в магнитном поле
Копьев П.С., Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф., Сиренко А.А.
В структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs в магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости слоев, обнаружено возгорание полосы вторичного свечения вблизи линии лазерного возбуждения. Это свечение обусловлено близнецовой (geminate) рекомбинацией электрон но-дырочных пар.