Структурный фазовый переход в смешанном состоянии сверхпроводящих пленок в параллельном магнитном поле
Д. А. Лужбин
Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, 03142 Киев, Украина
Abstract
В лондоновском приближении рассматривается тонкая пленка
сверхпроводника второго рода в параллельном поверхности магнитном
поле. Показано, что в отсутствие объемного пиннинга и в
пренебрежении подавлением сверхпроводимости магнитным полем, в
зависимости от величины отношения толщины пленки d к глубине
проникновения магнитного поля λ расслоение вихревой цепочки
в пленке происходит либо как структурный фазовый переход первого
рода, либо как структурный фазовый переход второго рода. Изменяя
температуру, можно изменять отношение d/λ , соответственно
изменяя характер перехода в вихревой решетке. Рассчитаны
соответствующие критические толщины пленок и диапазоны полей, в
которых возможно экспериментальное наблюдение данного эффекта.