Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 93 (2011) | ISSUE 10 | PAGE 647
Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
Abstract
Экспериментально и расчетами из первых принципов изучен эффект уменьшения энергии связи поверхностных атомов мышьяка при адсорбции Cs на As-стабилизированную поверхность GaAs(001)-(2×4). Cs-индуцированное перераспределение заряда на поверхностных атомах вызывает уменьшение электронной плотности в связи As-Ga верхнего слоя поверхности GaAs(001), что уменьшает энергию связи As-Ga и, как следствие, приводит к уменьшению энергии активации диффузии и десорбции атомов мышьяка. Увеличение коэффициента диффузии поверхностных атомов наряду со свойством Cs сегрегировать на поверхность растущей пленки полупроводника позволили использовать цезий в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте GaAs методом молекулярно лучевой эпитаксии.