Home
| VOLUME 93 (2011) | ISSUE 10 | PAGE 647 |
|---|
|
Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
О. Е. Терещенко*+, Д. В. Дмитриев*+, А. И. Торопов*+, С. В. Еремеев∇Δ, С. Е. Кулькова∇Δ
*Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия +Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ∇Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН, 634021 Томск, Россия, ΔТомский государственный университет, 634050 Томск, Россия
Abstract
Экспериментально и расчетами из первых принципов изучен эффект уменьшения энергии связи поверхностных атомов мышьяка при адсорбции Cs на As-стабилизированную поверхность GaAs(001)-(2×4). Cs-индуцированное перераспределение заряда на поверхностных атомах вызывает уменьшение электронной плотности в связи As-Ga верхнего слоя поверхности GaAs(001), что уменьшает энергию связи As-Ga и, как следствие, приводит к уменьшению энергии активации диффузии и десорбции атомов мышьяка. Увеличение коэффициента диффузии поверхностных атомов наряду со свойством Cs сегрегировать на поверхность растущей пленки полупроводника позволили использовать цезий в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте GaAs методом молекулярно лучевой эпитаксии. |