Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 93 (2011) | ISSUE 11 | PAGE 740
Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)-Bi-\sqrt{\bf3}\times\sqrt{\bf3}
Abstract
Методом сканирующей туннельной микроскопии продемонстрирована возможность формирования плотного массива однородных по размеру кластеров Ge на поверхности Si(111) в присутствии сурфактанта Bi. Показано, что осаждение германия при комнатной температуре приводит к образованию кластеров двух типов. Кластеры из 2-4 атомов имеют высоту в один монослой и подвижны на слое висмута. Второй тип, бислойные кластеры из 8-10 атомов, после отжига при 400-500 °С переходят в эпитаксиальные островки. Рассмотрены модели вероятных атомных структур бислойных кластеров с учетом их расположения относительно тримеров Bi. Обнаружено, что вероятность замещения атомов Ge атомами Si при образовании кластеров не превышает 20