О возможности формирования области с аномальной дисперсией в электронном спектре примесного графена
Ю. В. Скрипник
, В. М. Локтев
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, 03680 Киев, Украина
Институт теоретической физики им. Н.Н. Боголюбова НАН Украины, 03680 Киев, Украина
Abstract
Обнаружено, что с превышением определенного порогового
значения концентрацией слабосвязанных резонансных дефектов в
электронном спектре графена может образовываться новая нодальная
точка и появляться область с аномальной дисперсией носителей тока.