Home
| VOLUME 94 (2011) | ISSUE 1 | PAGE 63 |
|---|
|
Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
В. С. Багаев+, В. С. Кривобок+, С. Н. Николаев+, Е. Е. Онищенко+, М. Л. Скориков+, А. В. Новиков∇, Д. Н. Лобанов∇
+Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119992 Москва, Россия *Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
Abstract
Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами. |