Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 (2011) | ISSUE 2 | PAGE 120
Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям
Abstract
В сильнолегированных слоях квантовых ям p-GaAs/AlGaAs при низких температурах мы ранее наблюдали активационную проводимость с малыми энергиями активации. Мы связывали ее с делокализацией электронных состояний в окрестности максимума узкой примесной зоны в смысле перехода Андерсона. Возможность такой делокализации при сравнительно малых концентрациях примесей связана с узостью примесной зоны в условиях слабого беспорядка. При этом носители, ответственные за перенос заряда, активировались из "хвоста" зоны, их наличие было связано с фоновой (слабой) компенсацией. В настоящей работе мы прослеживаем зависимость вышеуказанного "виртуального" перехода Андерсона от внешней компенсации и от концентрации примесей. Установлено, что рост компенсации изначально не влияет на переход Андерсона. Однако при больших степенях компенсации он приводит к его подавлению за счет роста беспорядка. Рост концентрации изначально также приводит к подавлению перехода Андерсона за счет беспорядка, связанного с частичным перекрытием зон Хаббарда. Однако при достаточно больших концентрациях проводимость становится металлической благодаря переходу Мотта.