Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида кремния и дефектов в нем
С. С. Некрашевич, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
С помощью молекулярной динамики Кар-Паринелло методом охлаждения из расплава
смоделирована структура аморфного нитрида кремния. Выявлено несколько типов
координации дефектов Si-Si. Обнаружено, что помимо "обычных" Si-Si-связей,
в аморфной структуре присутствует значительное количество двойных Si-Si
связей (Si-Si-Si дефектов).