Низкопороговые абсолютные параметрические распадные неустойчивости в экспериментах по электронному циклотронному нагреву в токамаках
Е. З. Гусаков, А. Ю. Попов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Abstract
В работе анализируются экспериментальные условия,
приводящие к возбуждению абсолютных параметрических распадных
неустойчивостей при электронном циклотронном нагреве плазмы на
второй гармонике резонанса в токамаках. Показано, что в случае
немонотонного радиального профиля плотности плазмы при прохождении
греющего пучка вблизи от экваториальной плоскости установки может
происходить параметрическое возбуждение резонансов ионных
Бернштейновских волн, сопровождающееся генерацией рассеянного
назад СВЧ-излучения. Порог раскачиваемой при этом абсолютной
неустойчивости определяется диссипацией ионной берштейновской волны и может составлять
значения, превышаемые в современных экспериментах по электронному
циклотронному нагреву плазмы в токамаках.