Home
| VOLUME 94 (2011) | ISSUE 4 | PAGE 348 |
|---|
|
Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe(301)
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, А. В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Обнаружен эффект самопроизвольной модуляции состава твердого раствора в пленках CdxHg1-xTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CdTe/ZnTe/GaAs(301). Исследование микроморфологии поверхности пленок в атомно-силовом микроскопе и микроструктуры пленок в просвечивающем электронном микроскопе позволило установить, что в процессе эпитаксиального роста при температуре выше оптимальной на поверхности пленок CdxHg1-xTe(301) формируется периодическая система ориентированных в направлении [010] макроступеней, разделенных террасами (100). Рост пленки однородного состава оказывается возможным только на фронте макроступеней и невозможным на террасах (100), на которых происходит рост слоистой структуры с модуляцией состава в направлении [100] с периодом в несколько десятков ангстрем. Наблюдающееся явление объясняется пониженной адсорбцией атомов ртути на плоскости (100). |