Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 6 | PAGE 477
Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)
Abstract
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс формирования дислокационных и бездислокационных островков кремния при росте в отсутствие механических напряжений. Округлая форма островков, полученных при температурах роста 400-500 °С на оксидированной поверхности Si(111), ассоциируется с наличием в них дислокаций. Перенос атомов с оксидированной поверхности в островки происходит благодаря барьеру потенциальной энергии на границе SiO2/Si. В форме островков, выращенных при 500-550 °С, преобладают грани {111} и {311}. Их появление свидетельствует о лимитировании роста стадией зарождения нового атомного слоя и об отсутствии в островках прорастающих дислокаций.