Магнето-межподзонное туннелирование Зинера в широкой GaAs квантовой яме при больших факторах заполнения
А. В. Горан+, А. К. Калагин+, А. А. Быков+*
+Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия
Abstract
Исследованы зависимости дифференциального сопротивления rxx от плотности постоянного
электрического тока Jdc в широкой GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного
квантования при температуре T = 4.2 K
в магнитных полях B< 1 Тл. При больших факторах заполнения
в зависимостях rxx(Jdc) обнаружен пик, положение которого определяется соотношением
, где Rc -
циклотронный радиус электронов, E H - напряженность
электрического поля Холла, ωc - циклотронная частота. Полученные данные объясняются
зинеровским туннелированием электронов между уровнями Ландау различных подзон.