Home
| VOLUME 94 (2011) | ISSUE 12 | PAGE 939 |
|---|
|
Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe
Е. В. Филатов, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев+×, В. Вааг*
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия +Experimentelle Physik II, Technische Universität Dortmund, 44227 Dortmund, Germany ×Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, D-38106 Braunschweig, Germany
Abstract
Исследована кинетика излучательной рекомбинации фотовозбужденных электронов и дырок для пространственно прямого перехода в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe при приложении внешнего электрического поля. Обнаружены значительное (в сотни раз) уменьшение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и уменьшение длительности свечения прямого перехода при приложении электрического поля. Проведены численные расчеты уровней энергии и волновых функций электронов и дырок при приложении электрического поля к гетероструктуре ZnSe/BeTe. Показано, что наблюдаемое уменьшение интенсивности ФЛ и длительности свечения прямого перехода связано как с возрастанием времени излучательной рекомбинации, так и с увеличением скорости ухода фотовозбужденных дырок с надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe. |